TPIC6B259DW的技术参数

产品型号:TPIC6B259DW
漏源电压最大值(V):50
工作电流(μA):20
连续输出电流(mA):150
峰值输出电流(A):0.500
静态漏源导通电阻(Ω):4.200
传输延迟时间(ns):150
输入兼容性:CMOS
封装/温度(℃):20SOIC/-40~125
描述:功率逻辑8位可寻址锁存器
价格/1片(套):￥10.20