瞄准45和32纳米节点技术，日本将推进五年研发计划
在2006年3月Asuka项目结束后，日本半导体行业计划发动一轮新的五年研发项目。新项目从2006年4月开始，研发重点放在45纳米和32纳米技术。
日本半导体工业协会(JSIA)是日本电子信息技术产业协会(JEITA)下属机构，包括11家日本主要半导体制造商。该组织一直在讨论新的研发计划，新计划基于由业界智囊机构日本半导体工业研究院(SIRIJ)于2004年6月提出的第二期SNCC建议。
新的研发计划包括Semiconductor Leading Edge Technologies Inc(Selete)的五年研发项目，每年投资100亿日元，探索45纳米和32纳米工艺。以及Semiconductor Technology Academic Research Center(STARC)的五年计划，每年投资50亿日元，用于开发DFM设计平台。
目前，在日本Tsukuba的超洁净实验室，由日本业界赞助的Asuka项目和国家承担的Mirai项目正在进行中。但是，两个项目之间没有进行协调。为了更好的结合日本产业界、学术界和国家的力量，Selete项目总裁将会统一领导在Tsukuba进行的研发项目。
除11名成员外，Selete还选择了4家核心公司，包括富士通、NEC电子、瑞萨和东芝。在前端处理过程方面，这4家公司将会领导三个计划，后端处理过程、EUV光刻技术和掩膜工艺。瑞萨公司总裁兼首席执行官，同时也是JSIA的主席的Satoru Ito表示，“核心公司需要在技术方面起领头作用，并且驱动技术发展。”
据悉，前端工艺过程的项目将着重于实际使用的金属门/高k材料，而后端处理过程项目将着重于低k材料。
