NTD3055L104T4G的技术参数

产品型号:NTD3055L104T4G
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):104
最大漏极电流Id(on)(A):12
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150
描述:12 A, 60 V功率MOSFET
价格/1片(套):￥2.60