海力士正式量产融合式内存“DOC H3”

    韩国海力士半导体公司（Hynix Semiconductor Inc.）首款融合式内存产品“DOC（Disk On Chip）H3”正式开始量产。该公司宣布计划到2010年实现融合式内存的累计销售额达10亿美元，表示正式将融合式内存投放市场。韩国三星电子也将以其融合式内存“One NAND”等争夺市场。

　　海力士的DOC产品将NAND型闪存、DRAM和控制器LSI融合到1个封装中。写入和读出速度分别是最大167MB/秒和11MB/秒，在手机中使用时的驱动性能优异。管理闪存的全部系统都配置在芯片中，可以独立于主机进行控制。可根据需要通过添加软件来减小微处理器的负担，使耗电量降至最低。

　　另外，该产品不仅支持目前手机常用的高速SLC（1bit/单元产品），也可以支持易于实现大容量化的MLC（2bit/单元产品），因此可以形成多种容量的产品群。由于该产品以NAND型闪存为基础、拥有NOR型闪存接口，因此有望取代移动设备和数码家电用的NOR型闪存。目前主要手机厂商的认 证工作已经完成。