Atmel针对ARM7微控制器实行芯片上闪存密度加倍

　　近日，Atmel公司对外宣布，为公司基于ARM7TDMI处理器内核的AT91SAM7S、SAM7X和SAM7XC微控制器产品扩充到512K字节双库(dual-bank)闪存。此次通过将闪存密度从256K字节加倍扩展至512K字节，将使软件工程师能够为下一代产品整合新功能，同时真正实现现场编程功能，而同时新增成本不足20%。 
　　此次新推出的产品支持真正意义上的现场编程。AT91SAM7S512、SAM7X512和SAM7XC512采用的闪存被分别置于两个不同的库内，双库设计使设备能够进行同时编程。如果硬件更新时发生意外断电，双库执行可保护应用免受可能产生的灾难性故障所带来的影响。 
　　当前，联网嵌入式系统需要更高的内存、带宽和安全性。应用于联网嵌入式系统的通信协议日益复杂，数据处理量和流媒体内容日益增加，这些都要求比以往更多的数据缓冲器和更高安全性。为了满足这种需求，Atmel已经将旗下AT91SAM7X512和SAM7XC512产品采用的零等待状态32位宽SRAM的密度从64K提升至128K字节。 
　　另外，产品外设DMA使带宽增加了6倍。和Atmel所有的SAM7 MCU一样，新设备具有11至13个专用外设DMA通道(PDC)，从而将传统ARM7 MCU的最大片上带宽从4Mbps增加至25Mbps甚至更高水平。通过把CPU从外设至内存的数据传输中解放出来，外设DMA通道实际上增加了该应用所能够利用的CPU运算量。这是Atmel微控制器特有的功能。