AlGaN紫外光电导探测器的研究

　　摘　要：在蓝宝石(0001)衬底上采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了未掺杂的Al0．15Ga0．85N外延层，并以此为材料制作了光电导探测器，实验发现探测器具有显著的紫外光响应。分析了探测器持续光电导效应(PPC)的产生机理。

    关键词：AlGaN；光电导探测器；紫外光；PPC

    近年来，GaN及其合金成为人们重点研究的第三代半导体材料，具有禁带宽度大、导热性能好、电子漂移饱和速度高以及化学稳定性高等优点，对于抗辐射、耐高温的高频大功率器件以及工作于紫外波段的光探测器件，具有极大的发展空间和广阔的市场［1］。