INTEL大连建厂技术落后两代建设周期超长

  
    英特尔投资25亿美元将在大连建一座90纳米制程技术的芯片厂，预计2010年上半年建成投产，超长的建设周期可能将让其使用的技术不再先进英特尔25亿美元大连建厂超常规建设周期让90纳米技术不再先进 
    昨天，国际CPU(核心处理器)芯片巨头英特尔宣布在辽宁省大连投资25亿美元，用来建设一座12英寸90纳米制程技术的芯片生产厂。这是英特尔在亚洲惟一一座12英寸生产线，为英特尔公司独立投资，预计将于2010年上半年建成投产。

    英特尔大连工厂将于今年年底动工，英特尔称，工厂的初期生产将主要专注于芯片组以支持英特尔CPU处理器业务。此前，英特尔已经在上海、成都建设3家芯片测试封装企业。 
    根据英特尔总裁兼CEO保罗·欧德宁透露，英特尔已经从美国政府获得了允许在中国使用90纳米制程技术的许可证，并允许英特尔今后可以升级。他同时表示，目前还没有决定采用何种技术，但到2010年将采用允许在中国使用最先进的技术。 
    业界希望英特尔在中国建造芯片生产线降低CPU的价格，欧德宁也表示，芯片制造业是全球工业，产能的增加势必影响全球芯片的市场价格。 
    不过，分析人士认为，目前看来，英特尔在中国建芯片生产线的象征意义大过实质性意义。 
    半导体专家莫大康认为，此次英特尔选址大连建12英寸生产线，其时间跨度超出常规，国内中芯国际北京12英寸线、无锡海力士意法半导体的生产线都在12个月内建成投产，而英特尔大连工厂计划至少24个月建成投产；时间跨度增大，使其90纳米制程技术投产之时已明显落后世界先进水平。按照芯片制程技术进程，目前主流CPU的制程技术为65纳米，今年下半年将推进到45纳米，到2009年将达到32纳米，那时，CPU主流制程技术将比90纳米先进两代，而这正是美国对华出口管制条例限制高科技出口中国的最低限度。 
    赛迪顾问半导体研究所所长李柯认为，英特尔近期已经完成对以色列、美国新墨西哥州和亚利桑那州3座60纳米和65纳米制程的生产线进行了增资扩产，相信短期内不会将更先进的技术移植到大连工厂。而国内中芯国际已经在使用90纳米制程技术。 
    英特尔在大连投建12英寸90纳米制程芯片生产线，将使台湾的技术出口限制变得尴尬，目前台湾只允许向内地出口0.18微米的芯片制程技术。