美光投资百亿日元拟向日本西胁工厂引进90nm工艺

      美国美光科技公司现已决定向生产特定用途DRAM内存产品的日本西胁工厂（兵库县）投入100亿日元。西胁工厂目前主要生产设计工艺为110nm的DRAM产品。通过此次投资，把西胁工厂一半的产能转换成90nm产品。美光科技在2006年秋为了增强西胁工厂产能，曾向该厂投入了60亿日元。 
　　西胁工厂是专门生产高附加值特定DRAM产品、支持200mm晶圆的内存制造厂。目前面向手机等便携终端、服务器以及民用产品中，面向便携终端的DRAM销售势头尤为突出。为了满足便携终端领域对DRAM不断增长的需求，2006秋美光科技通过投资60亿日元将生产规模提高了8%，目前的产能已经达到月产5万枚。上周做出的规模达100亿日元的投资决定，一方面是增强产能和削减成本，另一方面“还将满足便携终端领域对DRAM的低功耗需求”（日本美光西胁工厂厂长Scott Meikle）。