抢先于三星 奇梦达和美光发布DDR3芯片样品

      3月26日消息(孙淑艳 编译)据国外媒体报道，芯片分析机构Semiconductor Insights 披露消息称，奇梦达和美光科技公司已经抢在三星电子之前发布了下一代DDR3 DRAM芯片的样品，成为DDR3 DRAM市场和技术的领先厂商。 
　　调研公司营销副总裁Jenn Markey表示，DDR3芯片的速率是前代DDR2的二倍，但消耗的能量没有明显增长。令我们惊异的是，美光科技和奇梦达DDR3芯片的样品抢在DRAM传统技术领先厂商三星电子之前。
　　DDR3芯片承诺的数据速率已经提高到每秒1600MB，同时DDR3芯片只需要较低的电压，从先前的1.8伏降为1.5伏。降低电压后，在移动系统中能够降低能量的消耗，导致更小的热量散发，进一步延长了电池寿命。 DDR3 储存芯片的高速运行是芯片封装、集成电路和信号传输的重大进步。
　　美光科技储存部门资深营销主管Bill Lauer表示，公司计划今年中期将制造容量为1GB的DDR3芯片产品，并发布容量为2GB的DDR3芯片样品。