三星电子大规模生产60纳米Nano DRAM

　韩国三星电子公开表示，已经开始大规模生产1G容量的60纳米技术Nano DRAM内存芯片。 
　　据english.chosun.com报道，据公司透露，该产品在性能方面，要比上一代的80纳米产品高出40%之多。至今为止，市面上绝大多数Nano DRAM内存还在使用80纳米技术，该技术在2006年3月份由三星发起，因此韩国电子巨头此次可谓打破了自己制定的标准。 
　　三星电子公司宣布，计划将60纳米技术产品生产比例，从2007年的6%，提高到2008年的46%，从而顺利过渡向60纳米时代。
　　韩国三星电子公开表示，已经开始大规模生产1G容量的60纳米技术Nano DRAM内存芯片。 
　　据english.chosun.com报道，据公司透露，该产品在性能方面，要比上一代的80纳米产品高出40%之多。至今为止，市面上绝大多数Nano DRAM内存还在使用80纳米技术，该技术在2006年3月份由三星发起，因此韩国电子巨头此次可谓打破了自己制定的标准。 
　　三星电子公司宣布，计划将60纳米技术产品生产比例，从2007年的6%，提高到2008年的46%，从而顺利过渡向60纳米时代。