细密线路之蚀刻与湿膜光阻

由於乾膜光阻本身的平均厚度在1.0~1.5mil之间，对水平输送式蚀刻线上之板面而言，会造成细密线区的"水沟效应"（Puddle Effect），使得所喷射新鲜蚀刻液的强力水点，打不到待蚀的铜面，而且连空气中的氧气也被阻隔。此"氧气"的角色是协同将金属铜（Cu0）氧化成可水溶的铜离子（Cu++），是一种不可或缺的氧化剂。氧化力减弱蚀刻不足将造成线底两侧之残足，成为细线工程的一大隐忧。至於另一种半氧化的Cu+则很难水溶，常附著在线路腰部流速较低的侧壁上，可当成护岸剂（Banking Agent），而使侧蚀（Undercut）得以减低。
Cu0 蚀刻液 
────→ 
O2 Cu+ ………………… …………难水溶的中间物，可当成护岸剂 
Cu0 蚀刻液 
────→ 
O2 Cu+ 蚀刻液 
────→ 
O2 Cu++ ……….成为可水溶的铜离子 
　　为了降低水沟效应减少侧蚀与残足起见，5mil以下的细线应尽可能将待蚀刻的铜层逼薄，同时也还应将抗蚀阻剂逼薄。如此一来除可避免积水而方便氧气进入外，还可加速新鲜药液更换的频率，有效的排除废铜液，逼薄Z方向待蚀铜面上扩散层（Diffusion layer）的厚度，以增快正蚀减缓侧蚀，使细线密线的品质更好。
　　湿膜光阻的平均厚度约为0.3mil左右，在水沟效应方面远较乾膜光阻有利，近年来在业者们不断的努力下，其针孔与解像（Resolution）不佳的缺失已逐渐改进。由於没有较厚的直立侧壁，故除在"线路电镀制程"（Pattern Process）与盖孔制程等外层板面场合无法施展外，其余各种传统内层板的酸性蚀刻都可派上用场。 
　　【注】水沟效应（Puddle Effect） 早期大面积松宽线路之蚀刻时，在下曾将此词译之为水池效应，目前之细密线路亦改称为水沟效应才更传神。