三星开发多晶片封装技术储存密度达到16GB

 当地时间本周三，韩国三星电子公司宣布，它已经开发出16晶片封装技术，在一个多晶片封装中塞入16个NAND晶片，使它的储存密度达到16GB。成为一款消费电子产品渴望的储存装置。 
   三星称，新的封装技术使晶片的厚度只有30微米，是目前三星提供的10晶片封装芯片厚度的65%。（人类的细胞大约为20-30微米）。 
   三星电子公司的工程师采用了最先进的激光切片技术把晶圆切割成超薄的晶片，传统的晶片锯割技术切割的晶片厚度为80 微米。三星电子同时改变了传统的晶片焊接方法，取代了芯片二侧的连线，仅从一侧进行连接。把晶片偏离中心以Z字形的模式进行堆叠，不但节省了空间，还缩短了连接线路。 
   三星的16晶片封装技术的粘接层厚度仅20微米，16个晶片堆叠高度为1.4毫米，形成对比的是，三星10晶片封装技术使用的粘接层厚度为60微米，它的堆叠高度为1.6毫米。 
   三星没有提供多晶片封装技术投放市场的细节。