日开发下一代半导体基片

      日本经济产业省将从明年开始，研发利用纳米技术的耐高压、超周波的半导体基片。计划开发的下一代技术拟用氮化合物作半导体的基片，从而开发新的基片和成膜方法。新基片预计比目前基片的周波数和电压提高10倍以上。  

　　计划开发的半导体基片材料使用的氮化镓(GaN)和氮化铝(A1N)，与电力用半导体元件材料碳化硅相比，具有耐高压和可实现超周波等优点。基片的膜材料将使用铝镓氮化合物(A1GaN)和铟稼氮化物(InGaN)，基片和膜的结晶方向统一，将解决结晶不均的缺点。据悉，新技术将利用纳米技术控制结晶顺序排列。  

　　这一新计划预计从明年开始，5年内完成，日材料科学、半导体元件研究单位和大学等机构将参与研究。项目完成后由企业继续完善，直到2015年前后向市场推出。  

　　如果新基片开发成功，可以使超周波、耐高压的半导体器件研制突飞猛进。这一技术也将会广泛应用于汽车混合燃料系统、信息家电以及下一代移动末端等各个领域，使产品小型化、节能化目标得以实现。经济产业省测算，仅在变压器节能方面，至2030年可节约300万升原油。