2026年是先进制程发展史上的重要转折点。全球领先的晶圆代工企业已如期在2025年第四季度启动2纳米（N2）制程的量产，这一节点首次采用第一代纳米片（GAA）晶体管技术，标志着传统FinFET结构开始让位于新一代晶体管架构。据官方披露，2nm制程在相同功耗下可实现10%—15%的性能提升，在相同性能下功耗降低25%—30%，晶体管密度提升约20%，性能与能效的改善十分显著。
量产节奏也在明显加快。2026年上半年，2nm制程月产能已达到5—6万片规模，企业计划在年底将月产能提升至10万片左右，并同步推进多个新工厂的建设。与此同时，3nm制程产能利用率持续处于高位，部分产线甚至出现满载，先进制程的产能扩张正以罕见的力度推进。
先进制程性能提升的背后，是急剧攀升的制造与研发成本。行业信息显示，2nm单片晶圆的代工价格已接近3万美元，远超此前各代制程。高成本一方面源于纳米片晶体管复杂的制造工艺，另一方面也源于EUV光刻设备的巨大投入与更长的研发周期。高昂的成本使得先进制程的客户门槛大幅提高，能够负担得起的客户数量进一步收窄，这也间接强化了头部晶圆代工厂与头部客户之间的深度绑定关系。
从竞争格局看，多家国际厂商也在2nm及以下节点积极追赶，部分企业2nm工艺良率在2026年出现显著提升，已接近头部水平，试图缩小与领先者的差距；还有企业依托新一代制程节点及High-NA光刻技术，谋求在先进制程领域重新确立话语权。多强并立的局面，让先进制程的竞争更加白热化。
在2nm量产的同时，下一代技术也已排上日程。行业领先者正在推进采用超级电轨设计的A16节点，预计2026年下半年实现生产就绪，并布局超高性能金属—绝缘体—金属（MIM）电容等创新工艺。更远期的1.4nm节点也进入规划与早期研发阶段，其晶圆厂建设进度甚至提前于市场预期。
从纳米到埃米，先进制程的微缩路线正从FinFET转向GAA纳米片，并朝着CFET等更复杂的堆叠结构演进。不过，随着物理极限逼近，单纯依靠制程微缩带来的收益正在递减，先进封装、晶体管架构创新与设计协同（DTCO）正成为延续摩尔定律的并行路径。对于整个产业而言，埃米时代的竞争已不再是单一制程节点的竞赛，而是制造、封装、设计、设备与材料的系统性比拼。
