台积电在2026年6月中国技术论坛上披露，其N2（2nm）纳米片（Nanosheet）晶体管工艺已于2025年Q4进入量产，2026年下半年N2P性能优化版本将接棒投产，搭载背面供电（Super PowerRail）的A16节点预计2026年下半年生产就绪，N2X与N2U分别规划2027年、2028年落地。N2相较N3E在相同功耗下性能提升10%-15%，或在相同频率下功耗降低25%-30%，晶体管密度提高近1.15倍。更引人注目的是台积电展示全球最小可工作6T SRAM单元，面积较同类纳米片设计缩减约30%，为苹果、英伟达、AMD等客户的下一代旗舰芯片预留微缩空间。台积电同时确认5.5倍光罩尺寸CoWoS先进封装已进入量产，良率超98%，2028-2029年将迭代至支持20-24颗HBM堆栈。
几乎同步，IBM在VLSI 2026大会上发布全球首款0.7纳米（7埃）节点芯片技术验证原型，采用三维"纳米堆叠"（Nanostack）架构，将栅极长度推进至原子级尺度，单位面积可集成近1000亿晶体管，密度为IBM 2021年2nm芯片之两倍，理论性能提升上限50%或能效改善70%。IBM强调该技术预计5年内导入试产，并非替代现有纳米片路线，而是为2030年代后摩尔延续提供方向——当硅沟道厚度进入亚纳米区，载流子输运需借助二维材料或碳纳米管辅助，传统漂移-扩散模型亦需修正为弹道输运（Ballistic Transport）框架。
三星方面则拿下马斯克Neuralink的4nm脑机接口芯片代工订单，试产已于2026年5月启动，目标2027年底量产，标志三星Foundry在生物电子细分高端市场撕开台积电垄断缝隙。综合来看，全球先进制程竞争已从"纳米数字游戏"演变为"架构创新+背面供电+先进封装+EDA协同"的系统工程，2nm以下节点资本门槛攀升至单厂200亿美元量级，行业集中度将进一步提高，二线代工厂生存空间持续压缩。
