2026年6月29日，韩国总统府召开"国家大跃迁"产业大会，三星电子与SK海力士联合发布未来十年合计高达2000万亿韩元（约合1.3万亿美元）的本土超级投资方案，创下韩国企业史上最大规模投资纪录。其中三星电子计划投入逾1000万亿韩元，重点在全罗南道光州市原空军基地选址建设4～5座前道晶圆厂，并布局AI先进封装基地，主攻HBM4/HBM5高带宽内存及2nm以下逻辑工艺；SK海力士则斥资约600万亿韩元加码清州HBM产线，并同步在光州规划多座晶圆厂，全面收缩消费级DRAM/NAND产能，将资源向AI服务器用高端存储倾斜。
这一投资计划的背景是全球HBM供需缺口创15年新高——集邦咨询数据显示2026年二季度DRAM合约价环比涨幅近60%、NAND超54%，原厂库存仅4周，远低于8～12周安全线。美光科技最新财报显示2026财年Q3营收达414.6亿美元（同比+346%），毛利率84.6%，HBM全年产能已被超算客户全额锁单，并签下16项战略长协锁定潜在收入1000亿美元。韩国政府同步配套5000亿韩元专项资金攻坚SiC/GaN功率半导体，意图将功率器件打造为继存储后的第二大战略芯片产业。
分析人士指出，韩系双雄此举不仅是追赶台积电先进封装与英特尔IDM2.0的战略回应，更折射出全球主要半导体产区在AI算力时代对"制造本土化+供应链安全"的空前重视。中长期看，如此量级的资本开支将直接拉动全球半导体设备、材料、EDA工具需求，ASML、应用材料、泛林集团及中国国产设备商均有机会受益。
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