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未来的非易失存储器(NVM)探索
产品名称:
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厂商:
加入文档库时间:
2005-9-19 14:41:39
文章摘要:
浮栅闪存晶体管在缩微至深亚100nm范围工艺尺寸时面临严重的挑战，主要由于为了可靠的电荷保持必须采用厚隧道氧化层。与此相比，电荷捕获存储器器件需要的电压小，具有更良好的工艺缩微性质
发布人及来源:
电子产品世界
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