VisIC Technologies宣布完成由全球半导体领导者领投的2,600万美元B轮融资，Hyundai Motor Company和Kia（统称“HKMC”）作为战略投资者参投
以色列内斯齐奥纳2026年1月7日 -- 电动汽车氮化镓（GaN）功率半导体先锋VisIC Technologies Ltd.今日宣布其B轮融资第二次交割顺利完成，共募集2,600万美元。 本轮由一家全球半导体领导者领投，HKMC作为战略投资者加入。 这一里程碑巩固了VisIC在电动汽车牵引逆变器GaN创新领域的前沿地位，并进一步强化了其推动新一代电动出行的角色。
领投方对关键半导体技术的持续投入，与VisIC专有的D3GaNTM平台高度契合，旨在为汽车传动系统提供无与伦比的效率、可扩展性与可靠性。 HKMC参投彰显其将GaN技术导入量产电动汽车平台的决心。
全球电动汽车市场正快速增长，车企竞相提升续航里程、降低成本并满足更严格的可持续目标。 当前瓶颈在于功率电子器件——尤其是牵引逆变器——的效率与可扩展性，其直接影响整车性能与能耗。
问题陈述
传统硅基方案难以满足新一代电动汽车平台对效率与功率密度的要求，特别是在更高电压场景下。 尽管SiC（碳化硅）器件性能更优，但其高昂成本与复杂制造工艺限制了大规模应用。 VisIC的D3GaNTM氮化镓技术通过支持更小型、更轻量、更高效率的逆变器，解决了现有技术的限制，同时为400V和800V架构带来全新可能。
资金用途
新资金将加速VisIC路线图，包括：
· 优化、认证与发布第三代750V GaN芯片与功率模块。
· 开发第四代1350V GaN技术，以支持全谱系电动汽车设计。
· 稳定供应链并扩大GaN产品对电动汽车牵引逆变器的交付规模。
· 借助同一先进GaN平台拓展新兴800V数据中心供电需求。
依托现代汽车及大型西方半导体企业支持，并由 HG、晶方科技等现有投资者背书，VisIC 在中国及西方市场具备强劲布局优势。
