全球半导体制造技术再迎重要里程碑！今年12月，英特尔宣布在其晶圆制造基地完成了全球首台商用级High-NA EUV（高数值孔径极紫外光刻机）——ASML TWINSCAN EXE:5200B的安装和验收测试，为其14A工艺路线图奠定关键基础。
什么是High-NA EUV？
在传统EUV（Low-NA）技术分辨率约13nm的限制下，High-NA EUV借助更大的数值孔径（NA=0.55），将光刻的单次图形解析能力提升至约8nm，可以显著减少多重图案化步骤，从而简化工艺流程、提升良率和产能。
为什么这件事意义重大？
1. 量产导向不是研发样机
这次安装的EXE:5200B不同于先前用于研发验证的机型，它的定位是商用/量产级别设备，意味着英特尔正在为真正的14A制程准备生产基础设施。
2. 高生产效率与精度
· 标准模式下每小时可处理约175片晶圆，经过系统优化后目标超过200片/小时。
· 套刻（不同光刻层的叠加对准）精度约0.7nm，这在亚纳米级工艺中至关重要，有助于提升芯片性能与良率。
3. 简化工艺、提升性能
传统Low-NA EUV在关键层需要多次图案化才能实现等效线宽，而High-NA EUV可以实现更精细一次成型，大幅减少曝光步骤与复杂度，对先进制程良率与成本都有明显正面影响。
英特尔的布局和战略意义
英特尔近年来为缩小与台积电、三星等竞争对手的技术差距持续投入研发力量，而High-NA EUV是 实现“再度领先”的关键武器之一。14A芯片制程计划开放给外部客户，这意味着它不仅提升自身产品竞争力，也标志着Foundry（晶圆代工）服务能力的跃升。
另外，从产业链角度看，目前ASML已将这类High-NA 光刻机主要交付给英特尔（台积电与三星也已下单但量产部署预计要到2026年以后），这给了英特尔一个“技术领先窗口期”。
小结
· 首台商用High-NA EUV安装完成
· 目标支撑英特尔14A制程量产
· 提升芯片分辨率、简化流程、提升良率
· 在先进制程竞争中抢得先机
这代表着芯片光刻技术正从传统EUV向高数值孔径迈进，也预示着进入亚纳米级制程主战场时代已真正启航。
