意法半导体推出40V标准阈值电压(VGS(th)) STripFET F8 MOSFET系列，该系列产品结合增强型沟槽栅极技术优势与卓越抗噪性能，专为非逻辑电平控制应用而设计。
工业级STL300N4F8与车规级STL305N4F8AG MOSFET具备300A以上漏极电流额定值及1m?最大导通电阻(RDS(on))，可显著提升高功率应用能效。其动态性能优异，典型栅极总电荷65nC配合低器件电容(Ciss、Crss)，确保高频开关条件下损耗最小化。内置MOSFET体二极管凭借低压降与快速反向恢复特性，进一步强化系统效率与可靠性。
该系列器件基于ST最新STripFET F8技术，适用于无线设备、工业工具等应用的电源系统、转换器及电机驱动。其高效特性可延长电池续航时间，降低散热需求，在持续高输出工况下简化热管理设计，有效节省空间并降低物料成本。车规版本专门针对整车电机驱动及DC/DC转换系统开发，覆盖车身电子、底盘、动力总成等场景，典型应用包括：
车窗升降器
座椅调节装置
天窗驱动系统
通风风扇
电动助力转向
主动悬架系统
排放控制单元
STripFET F8技术赋予器件强大的大安全工作区(SOA)性能，可承受高漏源电压(VDS)条件下的重载工况。175℃最高工作结温确保其在极端环境下稳定运行。该技术通过优化芯片尺寸，在紧凑型PowerFLAT 5x6封装（可选汽车级可湿性侧边工艺）中实现低导通电阻与高性价比的完美平衡。
