目前，许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展，实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）于 2024年9月推出CoolSiC™二极管" target="_blank">肖特基二极管2000 V G5产品系列，这是首款击穿电压达到2000 V的碳化硅二极管分立器件。该产品系列目前扩展到TO-247-2封装，其引脚可与现有的大多数TO-247-2封装兼容。该产品系列非常适合最高直流母线电压为1500 VDC的应用，是太阳能和电动汽车充电桩的理想之选。
这款TO-247-2 封装的2000 V CoolSiC™肖特基二极管G5的额定电流范围为10 A至80 A。相比1200 V 解决方案，这款产品能使开发人员在应用中实现更高功率等级，同时将器件数量减半，从而简化整体设计，并有助于从多电平拓扑结构无缝过渡到两电平拓扑结构。
此外，TO-247-2 封装的肖特基二极管还采用.XT互联技术，大大降低了热阻抗，提高了热管理能力。它还通过HV-H3TRB可靠性测试，验证了在潮湿环境中的稳定性。这款二极管没有反向恢复和正向恢复，且具有正向电压低的特点，从而确保了系统性能的提升。
2000 V二极管系列可与英飞凌2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC 封装CoolSiC™ MOSFET 2000 V完美匹配。除TO-247-2 封装外，CoolSiC™肖特基二极管 2000 V还提供 TO-247PLUS-4 HCC封装。
