东芝利用肖特基S-D技术 晶体管性能得提升

东芝采用属于低电阻金属源-漏极技术——肖特基源-漏极，开发成功了新的晶体管，并公布了其性能改善效果。在日前召开的“2005 Symposium on VLSI Technology”会议上做了技术发表（演讲序号为 9A-3）。

　　肖特基源-漏极技术是指通过将源-漏极材料由过去的硅变成金属，以大幅降低寄生电阻的技术。过去，曾有人提出在nMOS方面使用 ErSi、在pMOS方面使用PtSi的思路，不过存在的问题是其制作工艺会因2种新材料而复杂化，并且还会导致成本升高。