2023 年 5 月 24 日，中国—— 意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。
新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先进技术，引入氧化物填充沟槽工艺，集极低的导通损耗和低栅极电荷于一身，实现高效的开关性能。因此，STL120N10F8的最大导通电阻 RDS(on)为 4.6mΩ(在 VGS = 10V 时)，高效运行频率达到600kHz。
STripFET F8技术还确保输出电容值可以减轻漏源电压尖峰，最大程度地减少充放电能量浪费。此外，这款MOSFET的体漏二极管的软度特性更高。这些改进之处可以减少电磁辐射，简化最终系统的合规性测试，确保电磁兼容性 (EMC)符合适用的产品标准。
STL120N10F8拥有卓越的能效和较低的电磁辐射，可以增强硬开关和软开关拓扑的电源转换性能。此外，这款产品还是首款完全符合工业级规格的 STPOWER 100V STripFET F8 MOSFET，非常适合电机控制、电信和计算机系统的电源及转换器、LED 和低压照明，以及消费类电器和电池供电设备。
新款MOSFET还有其他优势，其中包括栅极阈值电压(VGS(th))差很小，这个优势在强电流应用中很有用，可简化多个功率开关管的并联设计。新产品的鲁棒性非常强，能够承受 10µs的800A短路脉冲电流冲击。
