• 恩智浦和台积电联合开发采用台积电16纳米FinFET技术的嵌入式MRAM IP
• 借助MRAM，汽车厂商可以更高效地推出新功能，加速OTA升级，消除量产瓶颈
• 恩智浦计划于2025年初推出采用该技术的新一代S32区域处理器和通用汽车MCU首批样品
荷兰埃因霍温——2023年5月22日——恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.，纳斯达克股票代码：NXPI)近日宣布与台积电合作交付行业首创的采用16纳米FinFET技术的汽车嵌入式MRAM(磁随机存储器)。在向软件定义汽车(SDV)的过渡中，汽车厂商需要在单个硬件平台上支持多代软件升级。利用16纳米FinFET技术将恩智浦的高性能S32汽车处理器和快速且高度可靠的新一代非易失性存储器MRAM相结合，为向软件定义汽车演进打造理想的硬件平台。
Flash存储器更新20MB的代码需要约1分钟时间，而MRAM只需3秒左右，最大限度地缩短软件更新带来的停机时间，汽车厂商能够消除模块长时间编程引起的瓶颈。此外，MRAM提供多达一百万个更新周期，耐久性超过闪存和其他新兴存储器技术的十倍，为汽车失效缺陷提供高度可靠的技术。
软件定义汽车允许汽车厂商通过OTA升级推出舒适、安全、便捷的新功能，延长汽车的使用寿命，增强汽车的功能性和吸引力，同时提高收益率。基于软件的功能在汽车中越来越普遍，更新频率相应增加，MRAM的速度和可靠性也将更加重要。
台积电的16FinFET嵌入式MRAM技术超越车规级应用的严格要求，具有一百万个更新周期的耐久性，支持回流焊，并且在150℃条件下，数据保留长达20年。
台积电业务开发资深副总裁Kevin Zhang博士表示：“恩智浦的创新人员总能迅速挖掘台积电新工艺技术的潜力，尤其是在高要求的汽车应用领域中。我们非常高兴能看到恩智浦的S32平台中采用我们先进的MRAM技术，赋能新一代软件定义汽车。”
恩智浦执行副总裁兼汽车处理器业务总经理Henri Ardevol表示：“恩智浦与台积电成功合作了数十载，始终如一地为汽车市场交付高质量嵌入式存储器解决方案。MRAM是恩智浦S32汽车解决方案产品组合的创新助力，将在新一代汽车架构中发挥重要的支持作用。”
