新产线将生产硅电容
新生产线将于2023年春季开始筹建，安装在现有建筑内，预计这将在 2023年至 2025年间创造 100多个就业岗位。
此次新建的200mm晶圆生产线将采用Murata Manufacturing独特的电介质形成技术 PICS（Passive Integration Connective Substrate）。据该公司称，PICS 的特点是在电气特性方面实现了高性能。新生产线上的产品将实现高性能和电容，它们的尺寸很小，厚度仅为 40 μm，主要针对移动终端市场。
Murata Integrated Passive Solutions是村田制作所于2016年10月收购的原法国IPDiA。IPDiA 于 2017 年 4 月 1 日更名为 Murata Integrated Passive Solutions。
该公司总部位于法国诺曼底卡昂，负责开发和生产 3D 硅电容器，主要用于植入式医疗设备、高可靠性应用、电信基础设施、汽车和移动设备。该公司在法国拥有 200 多名员工。
收购了前IPDiA之后，主营MLCC的村田制作所将硅电容器定位为“下一步行动”。
硅电容的优势
Murata Integrated Passive Solutions 常务董事 Franck MURRAY 表示：
「硅电容器技术正变得越来越有吸引力，并且已经远远超出了利基市场。此外，这些新应用在空间和产量方面提出了严格的要求。这项投资也得到了法国和欧洲部委的支持。随着这种支持，我们相信我们将能够改进我们的技术并为我们的客户提供更大的价值。」
硅电容利用硅材质制作而成，它跟普通电容类似，也是上下都是极板，中间是介电层，不同点是介电层使用的是硅材料。
硅电容在性能上有不少优势。因为使用的是硅材料，硅的稳定性能比较好，因此硅电容也相应具有出色的高频特性和温度特性、极低的偏置特性、很高的可靠性，以及低背化等特性。硅电容还做得更小更薄，标准化的硅电容可以做到100微米，定制化的可以做到40~50微米。
