东芝发布8Gb/16Gb NAND闪存，采用56nm工艺制造

    东芝公司(Toshiba)不久前宣布推出和美国SanDisk公司共同开发的采用最先进56nm工艺的16Gb(2gigabyte)、8Gb(1gigabyte)的NAND闪存。16Gb是单芯片的业内最大容量。 
    本次新产品采用多级单元技术(MLC)和改进的编程效率，实现了高容量和高写入性能。采用56nm工艺，实现了上一代产品(8Gb 70nm工艺)2倍的NAND闪存业内单芯片最大容量的16Gb产品。而且一次处理的数据(页面)达到数倍增长，写入速度也达到了以往MLC产品2倍的10MB/秒，同时实现了大容量化和高速化。

    东芝公司今后将继续微细加工、多值化的新技术开发，同时也将不断增强设备、改善生产效率，确保满足NAND闪存市场需求的供应能力和成本竞争力。

新产品的主要特征：

采用最先进的56nm工艺和可以提高每个器件数据保存容量的多级单元技术(MLC)等，单芯片的容量达到上一代产品(8Gb 70nm工艺)的2倍。 
除了微细加工效果以外，还引进以下高速写入技术。 
一次写入页面大小从原来的2,112byte增加到2倍4,314byte 
采用降低数据待处理、高速化的写入缓冲功能 
通过以上功能，实现相当于以往产品(多值)2倍的10MB/秒的高速写入速度。

新产品的主要规格：　

    TC58NVG3D1DTG00容量为8Gb，电源电压为2.7V～3.6V，页面大小为4096＋218byte，编程时间为800微秒/页(Typ.)，消除时间2毫秒/块(Typ.)，访问时间50微秒(1st)；TC58NVG4D1DTG00容量为16Gb，电源电压为2.7V～3.6V，页面大小为4096＋218byte，编程时间为800微秒/页(Typ.)，消除时间2毫秒/块(Typ.)，访问时间30纳秒(串联)。两款产品均采用48pin TSOP TypeI封装，外形尺寸为12×20×1.2mm。(注：以上产品型号适用于日本市场。)

    东芝从2007年1月开始量产目前市场上主流的8GbNAND闪存，同时也计划从2007年第2季度的早期开始量产16Gb NAND闪存。继2006年底开始出厂开发样品后，现开始将陆续出厂产品样品。16Gb NAND闪存样品于2007年第1季度开始提供。