南亚科10nm DRAM技术突破

来源：中国半导体论坛

据台媒报道，南亚科总经理李培瑛于 10 日宣布，已完成自主研发 10 纳米级 DRAM 技术，将在今年下半年试产！

全球 DRAM 内存芯片主要掌握在三星、SK 海力士、美光三家公司中，他们的份额高达 95% 以上，关键原因就在于这三家的技术专利形成了极高的门槛，其他公司突围起来很难。

南亚科之前的内存也是来自美光授权，今年他们将转向自研的 10nm 级内存，未来将自产 DDR4/LPDDR4/DDR5 等内存颗粒。

在美光前两年全资收购华亚科之后，南亚科技变成了全球第四大内存厂，不过份额只有2% 左右，而且技术来源也主要是美光授权，而且技术落后较多，在三星、美光、SK 海力士转向 1X、1Y、1Znm 工艺之后，南亚的主力还是 30nm 等，来自美光授权，这两年才搞定 20nm 内存，也是授权+合作研发的模式，南亚上次自己搞内存研发还是 99nm 时代。

在 10nm 级内存芯片中，南亚决定自研了，目前 10nm 级前导产品预计会在今年下半年试产，主要包括 8Gb 核心的 DDR4、LPDDR4 及未来的 DDR5，都可以由自研的技术平台生产。

在解决 10nm 级内存工艺技术之后，南亚还会继续研发第二代 10nm 级工艺，预计 2022 年量产，还会开发第三代 10nm 级工艺。