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ARM与台积电合作完成全球第一个10纳米工艺芯片

ARM公司18日宣布,已经与台积电合作完成了全球第一个基于10nm工艺的芯片的流片工作,而且使用了尚未宣布的顶级新架构“Artemis”。

事实上,这次流片早在2015年12月就完成了,ARM预计最近就能拿到从工厂返回的芯片。

这颗测试芯片将是ARM、台积电共同的测试平台,用来调试相关工具和制造工艺,从而在性能、功耗、面积方面获得最优成果。

芯片内集成了四个Artemis CPU核心,频率有1.82/2.34/2.49/2.7GHz等不同档次,同时还有当代Mali GPU,但只有一个核心,因为只是用来展示效果而已。

当然了,芯片内还有其他各种IP模块、IO接口,用来检验新工艺。

台积电这里使用的新工艺是10nm版本,号称晶体管集成度可比16nm提升最多2.1倍,还能获得11-12%的性能提升,或者在同频率下功耗降低30%。

台积电预计今年底投产10nm工艺,ARM Artemis架构也有望在近期正式发布,取代现在的Cortex-A72。

在2017年第一季度,台积电将样品送交客户认证,最快在2017年第二季度实现小量生产。











苹果A11处理器将会采用10nm制程的FinFET工艺生产。从第一枚64位芯片A7到第一枚20nm的A8,再到第一枚16nm的A9,苹果连续三年声誉大涨。

不过,10nm支持,也许苹果不会成为打头阵的那个了。从国内获取联发科内部消息的爆料来看,联发科 2017 年的旗舰移动芯片Helio X30将会基于10nm工艺打造,而鉴于Helio X20/25在2016 年第一和第二季度正式亮相,按照预期Helio X3也将会在2017年大概同一时间正式发布。

另外,高通明年的移动旗舰芯片Snapdragon 830,很显然也将基于10nm工艺打造(三星不出意外还是合作伙伴之一),并且为了照顾2017年的春季旗舰,该芯片必然也会在时间点前提前完工出货。

英特尔多年以来基本都以每2年更新一次的速度改进生产工艺,基本与该公司联合创始人戈登·摩尔(Gordon Moore)50年前提出的“摩尔定律”保持一致。但要继续追赶“摩尔定律”的步伐却越来越困难。英特尔CEO科再奇(Brian Krzanich)此前宣布,10nm的芯片可能要到2017年下半年才能面市。

台积电则在10nm节点上获得的突破惊人,尽管台积电进入1xnm阶段时间有些晚,却后来居上快了英特尔一步;更神奇的是,IBM已经宣布成功研发出了7nm的芯片样品。显然,英特尔的工艺优势几乎被消耗光了。

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