赛普拉斯推出带有片上纠错码及卓越可靠性的异步SRAM

提供业界最低软错误率的16 MB快速异步SRAM

       加利福尼亚州圣何塞， 2014年5月15日 - 赛普拉斯半导体公司（纳斯达克股票代码： CY ） ，静态随机存取存储器（SRAM ）市场的领导者，今天宣布了一项16 MB快速异步SRAM，带有纠错码（ECC采样） 。芯片上的ECC功能，使新的SRAM提供数据可靠性的最高水平，而不需要额外的纠错芯片，简化设计并降低电路板空间。该器件可确保数据的可靠性在各种工业，军事，通信，数据处理，医疗，消费电子和汽车应用。

       造成背景辐射可以破坏内存内容的软错误，导致关键数据丢失。在赛普拉斯的新型异步SRAM的硬件ECC块执行所有纠错功能内嵌，无需用户干预，提供最佳的一流的软错误率（SER ）性能。 16 MB快速异步SRAM实现了10 ns访问时间，是引脚兼容电流异步SRAM ，使客户能够提高系统的可靠性，同时保持电路板布局。

       赛普拉斯还推出了一个新的快速SRAM与PowerSnooze 系列，结合了快速SRAM的低待机功耗媲美赛普拉斯的低功耗的MoBL · （更多的电池寿命 ） SRAM系列的10 - ns访问时间。 PowerSnooze是一个额外的节电深度休眠模式，可实现12微安为16 MB SRAM（典型值）的深度睡眠电流。与PowerSnooze的16 MB快速SRAM还提供片上的ECC 。

       “赛普拉斯是全球无可争议的异步SRAM的领导者，超过30年的设计和开发经验去与业界最广泛的产品组合中， ”苏尼尔Thamaran ，异步SRAM业务部赛普拉斯高级主管说。 “我们新的16 MB快速异步SRAM ，带ECC提供单芯片，用于高速应用的可靠的存储解决方案。我们期待着扩大我们的ECC功能的SRAM产品“ 。

       赛普拉斯的16 -Mbit的异步SRAM的行业标准X8 ， x16和x32配置提供。该设备在多个电压下工作（1.8V ，3V ，和5V），在-40℃至+85 ℃（工业）和-40 ℃至+125℃（汽车-E ）温度范围。

可用性：
新的16 MB快速SRAM和16MB快速SRAM与PowerSnooze目前已提供样品在工业温度级，与生产预计在2014年10月，这些设备将提供符合RoHS标准的48引脚TSOP I ， 48焊球VFBGA ， 119球BGA和54引脚TSOP II封装。