联合存储器公司（Alliance）推出一整条新的产品类别：高速移动CMOS工艺的双倍速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM)，专为需要增加效率和扩展电池寿命的简洁性便携式设备而设计，这些新的移动动态存储器仅需1.7V到1.95V低功耗供电，存储容量有256M位、512M位、1G位、2G位。其封装有8mm X 9mm的60脚的球形封装和8mm X 13mm的90脚的微间距球栅阵列封装。
为了帮助设计者在更少的空间中挤压出更多的功能，这款双倍速率同步动态随机存取存储器已经有自动温度补偿，自刷新特性，在更低的环境温度下能满足最小化功率消耗。局部自刷新功能通过仅刷新关键数据，可降低功耗，当数据不需要保持时，深度电压降模式提供了一个超低功耗状态。这些性能使得该产品在极端环境下也能表现最优的功能。该系列产品工作温度为 -30°C到 +85°C，用于工业领域的产品温度范围为-30°C到 +85°C。
型号
| 封装
| 容量
| 速率
| 架构
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| AS4C16M16MD1 | 60-ball FPBGA | 256M | 166MHz | 16Mx16
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AS4C16M32MD1
| 90-ball FPBGA | 512M | 200MHz | 16Mx32 |
| AS4C32M16MD1 | 60-ball FPBGA | 512M | 200MHz | 32Mx16 |
| AS4C32M32MD1 | 90-ball FPBGA | 1Gb | 200MHz | 32Mx32 |
| AS4C64M16MD1 | 60-ball FPBGA | 1Gb | 166MHz | 64Mx16 |
| AS4C64M32MD1 | 90-ball FPBGA | 2Gb | 200MHz | 64Mx32
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