贸泽备货Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT，赋能4G和5G通信应用

贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Qorvo QPD0011高电子迁移率晶体管 (HEMT)。此碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 晶体管性能优异，可为5G大规模MIMO、LTE和WCDMA系统中的蜂窝基站和射频应用提供支持。



贸泽电子备货的Qorvo QPD0011是一款非对称双路放大器，采用7.0 mm×6.5 mm小型DFN封装。QPD0011具有30 W到60 W的可变输入功率、+48 V的漏极电压、3.3 GHz至.6 GHz的工作电压，以及高达13.3 dB的增益，并能在Doherty设计环境中实现高达90 W的超高效信号峰值功率。

为了便于开发，Mouser还提供了配套的QPD0011EVB1评估板。此平台包括一个示例应用电路，在与现有设计结合使用时可加快原型设计速度。QPD0011适用于宏蜂窝小区和微小区基站、有源天线以及非对称Doherty设计等应用。

如需进一步了解QPD0011 GaN-on-SiC HEMT，敬请访问https://www.mouser.cn/new/qorvo/qorvo-qpd0011-48v-gan-sic-hemt/。