四款新型 GaN-on-SiC MMIC 器件，助力设计人员改进射频系统尺寸、重量和功率
科锐Cree, Inc. 宣布，Cree | Wolfspeed于近日推出四款新型多极碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）单片微波集成电路（MMIC）器件，进一步扩展射频（RF）解决方案范围，适用于包括海事、气象监测和新兴的无人机系统雷达等在内的脉冲和连续波 X-波段相控阵应用。
通过采用 Wolfspeed GaN-on-SiC 技术，这些新型器件能够在小型且行业标准封装内提供高功率附加效率（PAE），从而助力设计人员能够在更小型的系统中实现性能的最大化，且功耗更少。
Cree | Wolfspeed 负责 foundry 和航空航天业务的高级总监Jim Milligan表示：“Cree | Wolfspeed 新型 X-波段器件为设计工程师提供了丰富的选项，适合要求在苛刻尺寸内实现高效率发射解决方案的系统，例如在有源相阵控雷达应用中所需要的那些。通过采用 Wolfspeed GaN-on-SiC 解决方案，将赋能实现关键射频系统所要求的更小尺寸、更轻重量、更高功率（SWaP）、以及性能达到新的高度。”
丰富的 X-波段产品组合提供支持多级增益的解决方案，从而减少发射链路中所需要的器件数量。它们包括了不同的功率等级以优化系统性能，并提供多种平台以优化系统架构。浏览表1，了解更多产品细节和性能数据。
新型的放大器，继续扩大了产品组合。它们优异的性能展现了Cree | Wolfspeed 数十年的 GaN-on-SiC 专业技术沉淀，助力支持航空航天等市场。同时这也体现了致力于开发出适用于广泛射频应用的创新型、业界领先的氮化镓（GaN）解决方案的不懈追求。
表1
备注：以上所列所有器件 ECCN均为3A001.b.2
了解关于Cree | Wolfspeed及相关产品的更多信息，敬请访问www.wolfspeed.com/xband。
