Diodes 公司推出额定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及额定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ，两者均为符合车用规范的 MOSFET，采用 DFN2020 封装。这两款微型 MOSFET 仅占较大封装 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 区域，可在直流对直流 (DC-DC) 转换器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎盖下」的汽车应用之中，提供更高的功率密度。
DMTH4008LFDFWQ 在 VGS = 10V 时的 RDS(ON) 标准值为 11.5mΩ，闸极电荷 Qg 则只有 14.2nC。DMTH6016LFDFWQ 在 VGS = 10V 时的 RDS(ON) 标准值为 13.8mΩ，Qg 为 15.2nC。两款装置都可承受 175°C，并采用侧壁板 DFN2020 封装，因此适用于周围温度较高的环境。
DMTH4008LFDFWQ 如果是在 12V、5A 降压转换器这类的一般应用中使用，其功耗比竞争对手的同等 MOSFET 少 20%。由于效率大幅提升，汽车设计人员可享有更高弹性及自由，在新型或现有的汽车应用中增加功率密度。
DMTH4008LFDFWQ 及 DMTH6016LFDFWQ 均符合 AEC-Q101 车用规范，并获得 PPAP 支持提供完整的可追溯性。这两款装置的供应数量以 3,000 个为单位。
详细信息请参阅 www.diodes.com
