器件降低压降，提高频率响应，具有高达5.67 A IRMS的优异纹波电流等级
Vishay扩充其T55系列vPolyTan表面贴装聚合物钽模塑片式电容器，新增D外形（EIA 7343-31）尺寸器件，一位数ESR值由9 mΩ降至7 mΩ，6 mΩ的ESR值器件正在开发中。
今天发布的电容器保留以前较大外型尺寸，一位数ESR值比D外型尺寸典型值低3 mΩ至5 mΩ。从而有助于降低压降、提高频率响应，并具有高达5.67 A IRMS的优异纹波电流等级，减少PCB基板所需电容器数量。除节省基板空间外，D外形尺寸3.1 mm超薄便于设计更薄的成品。
T55系列外形尺寸为紧凑型J、P、A、B、T（薄型B —最高1.2 mm）、D、V和Z，电容量3.3 μF至1000 μF，额定电压2.5 V至63 V，电容公差为± 20 %。器件适用于计算机、服务器、网络设备、固态硬盘和无线收发器的电源管理、电池解耦和储能。
电容器工作温度-55 °C至 + 105 °C，具有较低内阻，可提高充放电特性。T55系列电容器采用无铅（Pb）终端，符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素。器件可使用高速自动拾放设备进行贴装，潮湿度敏感度等级（MSL）为3级。
新型一位数ESR值电容器现可提供样品并已实现量产，订货周期为14至16周。
