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e络盟现供应英飞凌TRENCHSTOP IGBT7 EasyPIM 模块

全新 Easy 模块设计简单直观,利于产品加速上市并节省工业驱动的系统成本

e络盟宣布供应英飞凌全新1200 V TRENCHSTOP IGBT7 和发射极控制 EC7 二极管。这款 EasyPIM IGBT7模块采用知名Easy封装,可有效提高功率密度、降低系统成本并缩减系统尺寸。1200 V TRENCHSTOP IGBT7 和 EC7 二极管技术基于新型微结构沟槽技术,并针对工业驱动应用进行了优化,可提供更柔性切换及增强可控性,同时还大幅降低了静态损耗,以满足能效要求。此外,通过将功率模块中的最大允许过载结温提升至 175℃,还可显著提高功率密度。



1200 V TRENCHSTOP IGBT7可用于一系列模块,包括:EasyPIM 1B 1200 V 10 A 或 25 A 三相输入整流器 PIM(功率集成模块),以及EasyPACK 2B 1200 V 100 A 六单元 IGBT 模块。新模块使用的引出线与TRENCHSTOP IGBT4 模块的相同,帮助设计工程师减少了设计工作量。在相同尺寸的封装中,新模块可提供更高输出电流;换言之,新模块在更小的封装中,也能实现类似的输出电流,从而满足用户对更紧凑逆变器的设计需求。各类型模块均采用英飞凌高度可靠的 PressFit 安装技术,可降低欧姆电阻,减少处理时间。

TRENCHSTOP IGBT7主要优势特性包括:

•        低损耗 - 全新芯片技术通过优化低 Vce(sat) 大幅减少了损耗
•        专门针对驱动应用将 dv/dt 优化为 2-8kV/μs
•        定制化短路设计,性能更优,8μs @150℃ 足以满足驱动应用所需
•        根据应用条件简化并优化栅极驱动。仅使用栅极电阻即可实现控制
•        Tvjop 增加至 175℃,功率密度更高
•        同类最佳的 VCE(sat)
•        在 175℃ 下过载运行
•        针对驱动应用进一步优化了可控性
•        更高的功率密度 - 封装缩小 35%,但功率不变

英飞凌 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 和发射极控制 EC7 二极管模块可通过Farnell(欧洲、中东和非洲地区)、Newark(北美地区)和  e络盟(亚太地区)购买。
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