用于在半导体芯片上电镀精细电路的改进的铜电镀浴

申请(专利)号：200480034544.4 
    申请日：2004.09.24 
    名称：用于在半导体芯片上电镀精细电路的改进的铜电镀浴 
    公开(公告)号：CN1882719 
    公开(公告)日：2006.12.20 
    主分类号：C25D3/38(2006.01)I 
    分类号：C25D3/38(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 
    颁证日：优先权：2003.9.26US10/672,416 
    申请(专利权)人：洛克威尔科学许可有限公司 
    地址：美国加利福尼亚州 
    发明(设计)人：M·D·坦奇;J·T·怀特 
    国际申请：2004-09-24PCT/US2004/031398 
    国际公布：2005-04-07WO2005/031812英 
    进入国家日期：2006.05.22 
    专利代理机构：上海专利商标事务所有限公司 
    代理人：钱慰民 
    摘要 
    使用以低浓度(＜5μM)存在的单一加速添加剂物质的焦磷酸铜电镀浴获得在半导体芯片中的精细金属镶嵌凹槽和通孔的底部向上填充。与采用涉及最少两种有机添加剂和氯离子(以及大量的添加剂分解产物)的酸性硫酸铜浴相比较，该电镀浴容易控制得多。焦磷酸铜沉积物表现出稳定的性能而不用退火，并且其硬度一般是酸性硫酸铜沉积物的两倍，它便于化学机械平整。精细晶粒焦磷酸铜沉积物的机械性能和质地也很少依赖于基片，这就使得在屏障层和晶仔层中的变化和裂缝的效应最小化。对于在pH8至9的范围内工作的焦磷酸铜浴来说，对铜晶仔层的侵蚀最小。焦磷酸盐和退火后的酸性硫酸铜沉积物的电阻性是基本等效的。