Diodes 公司推出 NPN 与 PNP 功率双极晶体管，采用小尺寸封装 (3.3mm x 3.3mm)，可为需要高达 100V 与 3A 的应用提供更高的功率密度。新款 NPN 与 PNP 晶体管的尺寸较小，可在闸极驱动功率 MOSFET 与 IGBT、线性 DC-DC 降压稳压器、PNP LDO 及负载开关电路，提供更高的功率密度设计。
DXTN07xxxxFG (NPN) 与 DXTP07xxxxFG (PNP) 系列以工业级消费性市场为目标，范围涵盖 25V 至 100V VCEO；同时具备 2W 总功率消耗及最高 +175°C 额定作业温度。新款晶体管外壳采用小型 PowerDI®3333 表面黏着封装，尺寸仅 3.3mm x 3.3mm x 0.8mm，占用 PCB 的空间比传统 SOT223 少 70%，以散热效率更高的封装提供类似的功率消耗。
PowerDI3333 封装具有可润湿侧翼 (wettable flank)，可提高 PCB 传输速率，促进焊接点的高速自动光学检查 (AOI)，因此无需使用 X 光检查。
全系列 DXTN07xxxxFG 与 DXTP07xxxxFG 装置将于 2019 年第 1 季底通过汽车认证后，开始供应样品。
详细信息请参阅 www.diodes.com
