T5503HS是针对 LP-DDR5和 DDR5存储器新功能及特点而专门定制设计的全新测试系统
近日，全球领先的半导体测试设备供应商爱德万测试推出了其 T5503HS2 高速存储器测试系统。该系统不仅能为当前最高速存储器芯片提供业界最高效的量产测试解决方案，同时也可以覆盖下一代超高速 DRAMs 存储芯片。在目前全球对存储器需求飞速增长的时代背景下，T5503HS2 全新测试系统的灵活性扩展了 T5503 系列产品在当前“超级周期”中的功能。
存储器超级周期由飞速增长的终端市场所驱动，这个终端市场包括便携式电子设备及服务器。根据市场调研公司 IHS Markit 的调研，自 2009 年起移动型内存的比特市占率增长超过了 500%。调研公司 IHS Markit 预估到 2021 年，1200 亿 GB 的DRAM 容量将被数据处理应用市场所需要，诸如移动电子设备，数据中心，汽车，游戏和显卡。为了满足这一庞大的增长需求，芯片制造商正在研发新型的，先进的SDRAM技术，如高达每秒 6.4GB数据传输速度的 DDR5 和 LPDDR5 存储器芯片。
爱德万测试的 T5503HS2 是设计用于提供针对新型存储器和现有器件的测试解决方案。它的测试速率最快能达到 8 Gbps 同时测试精度在±45 皮秒。充分利用其16,256 的数据通道，这个全能型测试系统在测试下一代 LP-DDR5 和 DDR5 器件的同时也允许使用者兼容测试现今的 DDR4，LP-DDR4 及高带宽存储器器件，实现了半导体业界最高的同测数和最优利润率。配置的4.5GHz 高速时钟选配模块使新测试机拥有了以超过 8 Gbps 的数据传输速率来应对未来存储器芯片测试的可扩展性。
独特的性能使 T5503HS2 成为了独一无二的新一代量产测试机，内置的超高速存储器可支持测试 LP-DDR5 和 DDR5 器件的关键性能。例如，通过实时追踪功能， 测试机能够自动识别和调整 DQS-DQ 间时序差异来确保更多的时序余量。此外，一个 强健的新型逻辑算法模式生成器(ALPG)允许对先进器件的特性进行快速高品质评价。
T5503HS2 中也配置了一个新型可编程电源供给单元，这个电源供给单元的反应速度是之前版本的四倍，同时带来更低的电压压降。
目前使用 T5503 测试系统的用户可以将设备升级成为新的 T5503HS2 测试系统，来为下一代存储器器件的测试实现无缝经济的产品线过渡。
爱德万测试执行董事 Masuhiro Yamada 称 “我们的 T5503HS2 拥有一流的性能和对应下一代存储器芯片高速测试时所需的精度。这个测试系统有无与伦比的可扩展性和生产同测能力，使它在评价 LP-DDR5 和 DDR5 器件时做到快速，精确和最优利润率。”
