DRAM 8英寸线趋减 IC制造须理性突围
推动全球半导体工业进步的两个轮子，一个是缩小特征尺寸，另一个是增大硅片直径，通常总是以不断地缩小特征尺寸为先。如今，全球正进入12英寸，65纳米芯片生产线的兴建高潮，业界正在为何时进入18英寸硅片生产展开可行性讨论。在此前提下，业界关心全球8英寸芯片生产线的现状，以及何时将退出历史舞台。纵观全球半导体业发展的历史过程，进入8英寸硅片时代约于1997年。通常每种硅片的生存周期在20年左右，所以8英寸硅片目前仍处于平稳发展时段，显然90纳米及65纳米产品已开始上升。
DRAM8英寸线将逐渐退出
随着半导体工艺制程技术的进步，90纳米及以下制程产品的比重增大以及12英寸硅片的优越性逐渐扩大，首先在竞争最激烈的存储器制造中呈现。
台湾力晶半导体的黄崇仁表示，2006年是转折点，DRAM中的8英寸芯片性价比已不具有优势，一批较早的8英寸芯片厂，已无法采用0.11微米工艺来制造512Mb的DDR2存储器。
台湾拓璞产业研究所最近发表的看法认为，五大集团三星、美光、海力士、英飞凌及尔必达主导了全球的DRAM业，全球DRAM(动态随机存储器)应用中，有55%用于PC中。预计2007年台式机中存储器用量将增加46%;而笔记本中将增加63%；服务器中将增加47%;而消费电子产品及手机中也分别有56%及69%的增长。所以，2007年DRAM总需求将有57.4%的增长。但在供给方面，2007年中DRAM的8英寸芯片生产线的自然淘汰率将占20%至30%，其中有的8英寸线升级至12英寸或者改成其他用途。
不同品种有其相应的特征尺寸及生存周期，完全由市场来决定,目前DRAM已进入80纳米量产时代，而模拟电路中0.18微米仍是国际先进水平。所以各种不同的硅片尺寸都有其相应的生存之道，但是大尺寸硅片逐步取代小尺寸是自然规律。如右图所示。
中国芯片制造仍在初级阶段
自华虹NEC在中国建成第一个8英寸生产线至今，中国芯片产业正在逐步成长壮大。虽然也有中芯国际的12英寸芯片生产线以及全国8英寸硅片的产能规模已达每月30万片以上，但是从总体看，产业的水平仍处在初级阶段，其现状如下：
有12英寸及90纳米的代工能力，但至少落后于台积电等世界一流代工企业一年以上。目前在高端产品代工方面仍以标准型存储器为主。而在逻辑电路代工方面，由于90纳米技术进展缓慢，加上缺乏顶级fabless公司的大订单，造成新建12英寸的产能扩展缓慢。
0.18微米及以上的代工，由于同质化，缺乏特长工艺能力，加上台积电等打压，致使硅片平均销售价格下降，毛利率低，而造成企业效益不够理想。
中国芯片制造业，从结构上看大部分6英寸及8英寸旧线的赢利状况较好，目前可能是全球唯一还在增建8英寸芯片生产线的地区。
在12英寸新线建设中，中国仍处在扩张的态势，中芯国际除了在北京有Fab4之外，上海的Fab8已处于设备安装阶段，另一条武汉的中芯12英寸生产线已加快步伐，预计2007年底可能提前进行设备安装。但是面临一个做什么产品的决策问题，可以预计DRAM及NAND闪存是个正确的选择。
目前唯一在中国大肆扩张的是无锡海力士及意法的合资存储器厂，其进展速度超出业界的预期。至2007年底扩充硅片月产能将为8英寸5万片及12英寸6万片，将成为中国最大的芯片制造厂。
从全球8英寸芯片厂范围看，唯有中国内地还在逐年扩张，但是由于种种原因，速度已经减缓，因此可以预计，在未来三年内，台湾地区半导体厂的西移，是影响内地半导体业增长的主要因素。但是在近时期内中国内地不太可能成为全球最大的8英寸芯片厂基地。
