贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Qorvo的QPD1025L碳化硅 (SiC) 基氮化镓 (GaN) 晶体管。QPD1025在65 V 电压下的功率为1.8 kW，是业界功率最高的碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 射频晶体管，提供高信号完整性和长覆盖距离，非常适合L波段航空电子设备和敌我识别 (IFF) 应用。
GaN技术卓越的性能和可靠性使其非常适合基础设施、国防和航空航天应用，如雷达、通信、 导航以及类似的应用。其性能的增强让设计师可以在提升系统性能的同时，灵活地节省电路板空间和系统成本。
贸泽供应的Qorvo QPD1025L是高电子迁移率晶体管 (HEMT)，同时支持脉冲波和连续波 (CW) 操作，以更高效地提供可与硅基LDMOS设备媲美的性能。该器件使用65 V电源轨供电，提供22.5 dB线性增益和 77.2%的典型功率附加效率 (PAE3dB)。QPD1025L晶体管提供内部输入预匹配，简化了外部板匹配，节省了电路板空间。
此款符合RoHS标准的无铅晶体管具有配套的QPD1025L评估板。
有关QPD1025L晶体管的详细信息，敬请访问www.mouser.com/qorvo-qpd1025l-rf-transistors。
有关Qorvo氮化镓射频晶体管的详细信息，敬请访问www.mouser.com/qorvo-gan-rf-transistors。
