1A和2A器件的高度为0.65mm，正向压降低至0.36V。显著节省空间并提高功率密度和效率
Vishay 新增10颗采用eSMP系列MicroSMP(DO-219AD)封装的1A和2A器件，扩充其表面贴装的TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器。Vishay General Semiconductor的新整流器节省空间，可替换SOD123W封装的肖特基整流器，反向电压从45V到150V，其中业内首颗采用MicroSMP封装的2A TMBS整流器的正向压降低至0.40V。
目前，2A电流的肖特基整流器一般采用SOD123W和SMA封装。今天发布的这批器件在较小的MicroSMP封装内也可以输出高正向电流，从而提高了功率密度。整流器的尺寸为2.5mm x 1.3mm，高度0.65mm，比SOD123W薄35%，同时占板空间少45%。为实现良好的散热性能，MicroSMP封装采用了不对称的引线框架设计。
1A整流器的正向压降为0.36V，2A器件的正向压降为0.40V，够减少功率损耗，提高效率。针对低压高频逆变器，DC/DC转换器，续流以及极性保护等工业和商业应用。这些器件还有通过AEC-Q101认证的版本，可用于汽车应用。
新整流器的最高工作结温达+175℃，潮湿敏感度等级达到per J-STD-020的1级，LF最高峰值为+260℃。器件非常适合自动贴装，符合RoHS，无卤素。
器件规格表：
| 产品编号 | IF(AV) (A) | VRRM (V) | IFSM (A) | VF at IF and TJ | 最高TJ (°C) |
| VF (V) | IF (A) | TA (°C) |
| V1P6 | 1 | 60 | 25 | 0.45 | 1 | 125 | 150 |
| V2P6 | 2 | 60 | 30 | 0.51 | 2 | 125 | 150 |
| V1PL45 | 1 | 45 | 25 | 0.36 | 1 | 125 | 150 |
| V2PL45 | 2 | 45 | 30 | 0.4 | 2 | 125 | 150 |
| V1PM10 | 1 | 100 | 25 | 0.58 | 1 | 125 | 175 |
| V2PM10 | 2 | 100 | 30 | 0.62 | 2 | 125 | 175 |
| V1PM12 | 1 | 120 | 25 | 0.61 | 1 | 125 | 175 |
| V2PM12 | 2 | 120 | 30 | 0.65 | 2 | 125 | 175 |
| V1PM15 | 1 | 150 | 25 | 0.64 | 1 | 125 | 175 |
| V2PM15 | 2 | 150 | 30 | 0.68 | 2 | 125 | 175
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