恩智浦推出新型晶体管为915MHz应用提供750W CW，突破固态射频能量极限

恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)推出业内面向915MHz应用的最高功率晶体管。MRF13750H晶体管提供750W连续波(CW)，比目前市场上同类产品高出百分之五十。MRF13750H晶体管基于50V硅技术LDMOS，突破了半导体射频功率放大器的极限，使之成为在高功率工业系统中替代真空管的极具吸引力的产品。

这款晶体管简单易用，极大方便了微波发生器设计人员。与真空管时代的技术（如磁控管）相比，MRF13750H具有卓越的精度、控制性和可靠性。MRF13750H支持在0至750W的全动态范围内进行精确的功率控制，并可实现频移，有助于精确地使用射频能量。而且，MRF13750H的性能随时间推移下降很小，能够运行数十年，降低了总拥有成本。MRF13750H的工作电压为50V，比磁控管更安全。另外，固态功率放大器尺寸小，有助于实现设计冗余和灵活性。

恩智浦市场射频功率工业技术高级总监兼总经理Pierre Piel表示：“长期以来，半导体器件的可靠性和优异的控制特性早已得到认同，但是工业系统设计人员难以组合多个晶体管来匹配磁控管的功率水平。现在凭借MRF13750H的优异性能，工业加热工程师能在非常高功率的系统中使用这种晶体管。”

射频能量联盟执行董事Klaus Werner表示：“鉴于固态射频能量作为高效可控的热源和功率源具有诸多优势，射频能量联盟(RFEA)认为该技术有着不可估量的市场机会，不仅能够改善现有的射频能量应用，而且有助于开发新的能量应用。新产品MRF13750H的强大性能无疑将加速行业向固态射频技术的转型。”

这款新晶体管专为工业、科学和医疗(ISM)应用而设计，范围从700MHz至1300MHz，特别适合工业加热/干燥、固化和材料焊接及颗粒加速器应用。MRF13750H在915MHz时可提供750W CW，效率为67％，封装为3×3.8英寸(7.6×9.7厘米)小封装。

上市时间
MRF13750H现已提供样品，将于2017年12月量产。915MHz CW参考电路现已提供。如需数据手册或更多信息，请访问www.nxp.com/MRF13750H。