(1)变压器储能有释放回路，不需要另设复位电路或复位绕组。主要原因是在开关管导通时，变压器励磁，而开关管闭合时由桥臂上的两个二极管续流，磁芯去磁，同时磁芯能量返回直流电源。
(2)变压器初级电路半导体器件承受的电压等于转换器的输入电压Ui。而单管正激需要高得多的耐压器件。
(3)双管正激相对于其他多管的变换器拓扑而言，两只开关管无直通短路的危险。因两只开关管在桥的对角线上，正常工作时就是两管同时开通，同时关断，此时变压器初级绕组承受电压，所以没有直通危险。而全桥和半桥拓扑则有直通的危险。
目前市面上双管正激方案都是采用单管控制器加变压器或光耦来实现上管驱动，ON Semiconductor新推出NCL30125双管正激方案，上管与下管驱动分离，并通过控制复位MOS可解决开机之前MOS中点电压（HB）不为0的issue。
?场景应用图
?展示板照片
?方案方块图
?核心技术优势
1. 上管与下管驱动分离，省去上管驱动变压器及其周边期间，整体成本降低 2. 电源架构简化，可减少电源尺寸，实现小型化 3. 通过控制复位MOS可解决开机之前MOS中点电压（HB）不为0的issue。
?方案规格
1. 输入电压：180V~264V
2. 输入电流：2A @ 180Vin & 满载
3. 输入频率：47~63Hz
4. 输出功率：300W
5. 效率：88.4% @ 230Vin & 板端测试
6. 输出电压/电流：12V/25A
7. 待机功耗：<0.3W @ 230Vin
