Intel/IBM晶体管制造40年最大突破

Intel公司和IBM周五宣布在晶体管的研发上获得40年来最重大的进展之一，可确保微芯片尺寸更小，性能更强大。

两家公司通过各自独立的开发达成了这一目标，并在周五就行了发布。该项成果是在晶体管中使用一种新材料层来控制流经晶体管的电流而达成的。众所周知，目前的无论CPU还是GPU等处理器芯片都是由数以亿计的晶体管组成的，晶体管性能的提高可以直接转化为处理器速度的革命。

顾问公司VLSI Research负责人Dan Hutcheson认为：“就晶体管而言，基本材料自上世纪60年代以来就没有改变过。因此这是非常大的突破。”

摩尔定律已经控制了整个产业40年，如今在电子元件尺寸已经微小至几十纳米的时候遇到了麻烦。在现有的硅晶体管制造技术下，这一硅层的厚度仅有5个原子，导致了非常高的漏电率，影响了处理器性能的发挥和功耗。新的技术使用了一种名叫铪的银白色金属。研究机构分析，使用该技术可以让处理器制程在今后提高两个时代到22nm，让摩尔定律的失效期继续延后。

Intel表示，希望在今年后半年推出的45nm制程处理器中首次应用铪晶体管。而IBM则预期在明年推出其盟友利用此技术制造的芯片，包括AMD和东芝。