UnitedSiC/Qorvo 功率器件总工程师 Anup Bhalla 表示：“我们通过更高性能的第四代器件扩充了 1200V 产品系列，为工程师将总线设计电压提高到 800V 提供了有力支持。在电动汽车中，这种电压升高无法避免；这些新器件支持四种不同的 RDS(on)（漏源导通电阻）等级，有助于设计师为每项设计选择合适的 SiC 器件。”
以下 SiC FET 出色的品质因数展现了全新 UF4C/SC 系列的性能优势：
品质因数 | 数值 |
RDS(on) ? A | 1.35 mOhm-cm2 |
RDS(on) ? Eoss | 0.78 Ohm-uJ |
RDS(on) ? Coss,tr | 4.5 Ohm-pF |
RDS(on) ? Qg | 0.9 Ohm-nC |
所有 RDS (on) 选项（23、30、53 和 70 毫欧）都采用行业标准的 4 引脚开尔文源极 TO-247 封装，以更高的性能水平提供更清洁的开关。53 和 70 毫欧的器件也可采用 TO-247 三引脚封装。该系列器件采用先进的银烧结芯片贴装和晶圆减薄工艺，通过良好的热性能管理实现了出色的可靠性。
此外， FET-Jet Calculator? 免费在线设计工具支持所有 1200V SiC FET；可以即时评估在各种 AC/DC 和隔离式/非隔离 DC/DC 转换器拓扑结构中所用器件的效率、组件损耗和结温上升指标。 它可以在用户指定的散热条件下比较单个和并联器件，以获取优化解决方案。
全新 1200V 第四代 SiC FET 售价（1000 件起，美国离岸价）为 5.71 美元 (UF4C120070K3S) 到 14.14 美元 (UF4SC120023K4S) 。 所有器件均通过授权经销商销售。
Qorvo 的碳化硅和电源管理产品面向工业、商业和消费电子领域的充电、驱动和控制应用。
