|
飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)公司近日增强了RF功率晶体管产品系列，以帮助客户在以高达1GHz的频率运行的蜂窝基础架构应用中提高系统性能。该产品系列采用经济高效的高功率塑料设备和较高功率的高线性金属－陶瓷设备，而且全部采用飞思卡尔第六代高压(HV6)横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术。 飞思卡尔的HV6技术能够实现出色的电气性能，以及比前几代LDMOS更高的长期可靠性。由于LDMOS芯片的显著改进，基于HV6的RF设备的工作效率比前几代飞思卡尔设备提高15%，功率密度提高多达50%，从而帮助蜂窝基站运营商降低运营成本。HV6技术的增益也比部分前几代飞思卡尔产品提高了2dB。此外，HV6设备在额定功率和在功率回退情况下具有出色的线性功能。 HV6增强的RF产品功率从10W到220W，适用于800MHz到1GHz频率范围的GSM、GSM EDGE和CDMA蜂窝基础架构应用。多种功率的产品意味着飞思卡尔RF设备实际上能够适合各种无线基础架构应用。例如，低功率设备可以用作更高功率RF晶体管的驱动。 增强的1GHz RF产品系列包括从10W至125W采用经济高效的塑料封装的设备。这些塑料设备包括MW6S010N/G、MRF6S9045N/B、MRF6S9060N/B和MRF6S9125N/B。每种塑料设备都采用无光锡电镀铜凸缘材料来实现出色的散热性能。125W的MRF6S9125N/B是功率最高的塑料封装商用RF功率放大器。 飞思卡尔已经推出面向1GHz蜂窝基础架构应用的新一代高功率金属－陶瓷封装设备。这些设备的功率范围在130W到220W之间。每种设备都采用飞思卡尔先进的低热阻(Low Rth)封装技术，与采用铜钨凸缘的设备相比，这种技术使用的铜板凸缘材料能够使热阻降低15－20%。增强的1GHz系列中的金属－陶瓷设备包括MRF6S9130H/S、MRF6S9160H/S和MRF6P9220H。 MRF6S9045N、MRF6S9060N、MRF6S010N和MRF6s9130H/S现已批量生产。MRF6S9125N/B、MRF6S9220H和MRF6S9160H/S现在提供样品，计划在2005年第3季度开始批量生产。 |
|
飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)公司近日增强了RF功率晶体管产品系列，以帮助客户在以高达1GHz的频率运行的蜂窝基础架构应用中提高系统性能。该产品系列采用经济高效的高功率塑料设备和较高功率的高线性金属－陶瓷设备，而且全部采用飞思卡尔第六代高压(HV6)横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术。 飞思卡尔的HV6技术能够实现出色的电气性能，以及比前几代LDMOS更高的长期可靠性。由于LDMOS芯片的显著改进，基于HV6的RF设备的工作效率比前几代飞思卡尔设备提高15%，功率密度提高多达50%，从而帮助蜂窝基站运营商降低运营成本。HV6技术的增益也比部分前几代飞思卡尔产品提高了2dB。此外，HV6设备在额定功率和在功率回退情况下具有出色的线性功能。 HV6增强的RF产品功率从10W到220W，适用于800MHz到1GHz频率范围的GSM、GSM EDGE和CDMA蜂窝基础架构应用。多种功率的产品意味着飞思卡尔RF设备实际上能够适合各种无线基础架构应用。例如，低功率设备可以用作更高功率RF晶体管的驱动。 增强的1GHz RF产品系列包括从10W至125W采用经济高效的塑料封装的设备。这些塑料设备包括MW6S010N/G、MRF6S9045N/B、MRF6S9060N/B和MRF6S9125N/B。每种塑料设备都采用无光锡电镀铜凸缘材料来实现出色的散热性能。125W的MRF6S9125N/B是功率最高的塑料封装商用RF功率放大器。 飞思卡尔已经推出面向1GHz蜂窝基础架构应用的新一代高功率金属－陶瓷封装设备。这些设备的功率范围在130W到220W之间。每种设备都采用飞思卡尔先进的低热阻(Low Rth)封装技术，与采用铜钨凸缘的设备相比，这种技术使用的铜板凸缘材料能够使热阻降低15－20%。增强的1GHz系列中的金属－陶瓷设备包括MRF6S9130H/S、MRF6S9160H/S和MRF6P9220H。 MRF6S9045N、MRF6S9060N、MRF6S010N和MRF6s9130H/S现已批量生产。MRF6S9125N/B、MRF6S9220H和MRF6S9160H/S现在提供样品，计划在2005年第3季度开始批量生产。 |
