东芝公司今天宣布，即将推出和美国SanDisk公司共同开发的采用最先进５６ｎｍ＊1工艺的１６Gb（２gigabyte）、８Gb（１gigabyte）的ＮＡＮＤ闪存。１６Gb是单芯片的业内最大容量＊2。
东芝从本月开始量产目前市场上主流的８GbNAND闪存，同时也计划从今年第二季度的早期开始量产１６GbNAND闪存。继去年底开始出厂开发样品后，今天开始将陆续出厂产品样品。
本次新产品采用多值单元（MLC）技术和改进的编程效率，实现了高容量和高写入性能。采用56nm工艺，实现了上一代产品（8Gb 70nm工艺）2倍的NAND闪存业内单芯片最大容量＊2的1６Gb产品。而且一次处理的数据（页面）达到数倍增长，写入速度也达到了以往MLC产品2倍＊3的１０MB/秒，同时实现了大容量化和高速化。
东芝公司今后将继续微细加工、多值化的新技术开发，同时也将不断增强设备、改善生产效率，确保满足NAND闪存市场需求的供应能力和成本竞争力。
１ ｎｍ ：纳米。１０－9ｍ
２ 每一个硅芯片的容量
３ 和采用多值技术的本公司以往产品的最高速度进行比较
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型号名 |
容量 |
样品出货 |
量产时间 |
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TC58NVG3D1DTG00 |
8Gb |
2007年1月 |
2007年1月 |
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TC58NVG4D1DTG00 |
16Gb |
2007年第一季度 |
2007年第二季度的早期 |
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型号名 |
TC58NVG3D1DTG00 |
TC58NVG4D1DTG00 |
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容量 |
8Gb |
16Gb |
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电源电压 |
２．７Ｖ～３.６Ｖ | |
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页面大小 |
４０９６＋２１８byte | |
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编程时间 |
８００微秒／页（Typ.） | |
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消除时间 |
２毫秒／块（Typ.） | |
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访问时间 |
５０微秒（１ｓｔ）、
３０纳秒（串联） | |
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封装 |
４８pin ＴＳＯＰ ＴｙｐｅI | |
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外形尺寸 |
１２×２０×１．２mm | |
