瑞萨科技发布硅锗功率晶体管应用于无线LAN终端等功率放大器

      Renesas宣布RQG2003高性能的功率硅锗HBT*1实现了业界最高水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF（射频）标签读/写机等产品。样品供货将于从2007年3月在日本开始。 

　　作为瑞萨科技目前HSG2002的后续产品，RQG2003是一种用于功率放大器的晶体管，它可以对传输无线LAN终端设备等RF前端功率进行放大。 

　　RQG2003的功能总结如下。 

　　（1）业界最高的性能水平，有助于实现低功耗产品 

　　在5GHz和2.4GHz频段，RQG2003的性能达到了业界的最高水平，如下所述。 

　　（a）5GHz频段：6.4dB的功率增益，26.5dBm条件下的1dB增益压缩功率，5.8GHz条件下的功率增加效率*2为33.6% 

　　（b）2.4GHz频段：13.0dB的功率增益，26.5dBm条件下1dB的增益压缩功率，2.4GHz条件下的功率增加效率为66.0% 

　　这些性能参数是对瑞萨科技目前的HSG2002的显著改善，例如，5.8GHz条件下的功率增加效率大约提高了10%，2.4GHz的功率增加效率大约提高了20%。 

　　该性能有助于降低    
IEEE802.11a*3 兼容的无线LAN设备、数字无绳电话等5GHz频段设备的功耗，也可以降低使用2.4GHz频段的IEEE802.11b/g*3 兼容的无线LAN设备、RF标签读/写机及其他2.4GHz频段应用的功耗。 

　　2）小而薄的无铅封装 

　　该器件采用小型表面贴装8引脚WQFN0202（瑞萨封装代码）封装，尺寸为2.0mm×2.0mm×0.8毫米。这种小而薄的无铅封装有助于缩小RF前端传输部分的设计空间。