瑞萨发布硅锗功率晶体管

    瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，RQG2003高性能的功率硅锗HBT实现了业界最高水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF（射频）标签读/写机等产品。样品供货将于从2007年3月在日本开始。 

    作为瑞萨科技目前HSG2002的后续产品，RQG2003是一种用于功率放大器的晶体管，它可以对传输无线LAN终端设备等RF前端功率进行放大。 

    RQG2003的功能总结如下： 

    （1）业界最高的性能水平，有助于实现低功耗产品 

    在5GHz和2.4GHz频段，RQG2003的性能达到了业界的最高水平，如下所述。 

    （a）5GHz频段：6.4dB的功率增益，26.5dBm条件下的1dB增益压缩功率，5.8GHz条件下的功率增加效率为33.6% 

    （b）2.4GHz频段：13.0dB的功率增益，26.5dBm条件下1dB的增益压缩功率，2.4GHz条件下的功率增加效率为66.0% 

    这些性能参数是对瑞萨科技目前的HSG2002的显著改善，例如，5.8GHz条件下的功率增加效率大约提高了10%，2.4GHz的功率增加效率大约提高了20%。 

    该性能有助于降低IEEE802.11a兼容的无线LAN设备、数字无绳电话等5GHz频段设备的功耗，也可以降低使用2.4GHz频段的IEEE802.11b/g*3 兼容的无线LAN设备、RF标签读/写机及其他2.4GHz频段应用的功耗。 

    （2）小而薄的无铅封装 
 
    该器件采用小型表面贴装8引脚WQFN0202（瑞萨封装代码）封装，尺寸为2.0mm×2.0mm×0.8毫米。这种小而薄的无铅封装有助于缩小RF前端传输部分的设计空间。 

    瑞萨科技计划进一步扩展RQG系列硅锗功率晶体管的LNA（低噪声放大器）RQG1xxx和PA（功率放大器）RQG2xxx阵容，并继续开发RQL系列硅锗MMIC的LNA RQL1xxx和PA RQL2xxx产品，以满足不断发展的市场对丰富产品的需求。 

<典型应用> 

•无线LAN终端：2.4GHz/5GHz频段（符合IEEE802.11a/b/g标准） 
•RF标签读/写机：2.4GHz 
•数字无绳电话：2.4GHz/5.8GHz。