瑞萨披露新一代超薄型PoP技术 在基板上内置裸芯片

      在“半导体封装技术展”和“印刷线线路板EXPO”展会上，瑞萨东日本半导体和日本CMK展出了联合开发的可在基板夹层（Interposer）中内置LSI裸芯片（Bare Chip）的新型SiP（系统级封装）技术。目标是将其应用于新一代超薄型PoP（package on package，层叠封装）上。具体来说，就是通过内置超薄型LSI裸芯片，实现厚度低于0.4mm的超薄型基板，然后在底板上采用各种封装技术或配备各种电子元器件。计划从2007年年底到2008年年初达到实用化水平。 
　　例如，日本CMK展出的SiP技术，其封装尺寸为13mm×13mm。通过内置厚度仅为100μm的裸芯片，将基板（6层布线）的厚度降低至0.56mm。内置的裸芯片的尺寸为7.3mm×7.3mm。